概述
BR
特点
♦单片BR
♦可选择的背极驱动结构:静态或2,3 或4 背极复合。
♦可选择的显示偏置电压结构:静态,1/2Bias,1/3Bias。
♦4X34 显示数据存储RAM。
♦低功耗设计,5v 动态工作电流为30 uA,3v 动态工作小于电流11uA,通过指令设置电路休眠模式时,电流小于 0.8uA。
♦VLCD 管脚可用来调整液晶的使用电压。
♦背极驱动结构为 1COM、2COM时,可实现硬件轮显功能。
♦多种周期的闪烁方式和可输出多种频率。
♦能和任意的 4 位/8 位/16 位微处理器、微控制器兼容。
♦多条控制指令,可对BR
♦内置低频低功耗振荡器。
♦二线-串行通讯总线接口,接口防电流倒灌设计。
♦电源电压范围:2.5V~6V。
♦低功耗 CMOS 工艺。
♦接口 TTL/CMOS 兼容。
♦封装形式 LQFP44。